IBM ve Samsung telefonlarda şarjı 1 haftaya çıkarabilecek devrimsel yeni bir çip mimarisi geliştirdi. Yeni çiplerde DNA sarmalından bile ince olan, 2 nm genişliğinde transistörler kullanılıyor. Yeni tasarım sayesinde, tırnak büyüklüğündeki alana 50 milyar transistör sığabiliyor. Yeni çip tasarımı sayesinde transistörler daha sıkı paketlenerek, dikey akış sağlanıyor.
Endüstri standardı çiplerde kullanılan 7 nm transistörlerin aksine, yeni çip mimarisi sayesinde performans ve verim artarken enerji tüketiminde %75 azalma gerçekleşecek.
Geleneksel yarıiletken teknolojisinde transistörler yüzeyde yer alarak katman şeklinde bir taraftan, diğer tarafa elektrik akımı taşır. IBM ve Samsung tarafından geliştirilen yeni mimaride ise Dikey Alan Etkili İletim Transistörleri(Vertical Transport Field Effect Transistors -VTFET) deniyor ve transisörler dikey şekilde yerleştirilerek, akımın aşağıya değil, yukarıya gitmesi sağlanıyor.
IBM’e göre yeni dikey mimari sayesinde aynı yere daha fazla transistör yerleştirilebiliyor ve iletim noktaları etkilenerek, akım akışı arttırılarak enerji tasarrufu sağlanıyor. IBM güncel teknolojilerde bu sayede %185’e kadar enerjide düşüş sağlanacağını ve performansın da iki katına çıkacağını iddia ediyor.
IBM VTFET mimarisiyle test çipleri üretti. Bu sayede Nesnelerin interneti (IoT) bu çipleri kullanabilir ya da okyanus dubaları ve otonom araçlarındaki enerji tüketimi düşürülebilir. Ayrıca kripto madenciliği gibi enerji tüketen alanlarda karbon ayak izi azaltılabilir. Uzay gemilerinde verimin artacağı ve akıllı telefonların şarjının 1 hafta gidebileceği söyleniyor.
IBM ve Samsung’un ortak geliştirdiği yeni çip mimarisi sayesinde cihazların enerji tüketimleri azaltılarak, daha hızlı cihazlar üretilebilecek.
