Anasayfa / Bilgisayar / MÜHENDİSLER MANYETİK MALZEMELERDEN YÜKSEK ENERJİ VERİMLİLİĞİNE SAHİP MeRAM GELİŞTİRDİ

MÜHENDİSLER MANYETİK MALZEMELERDEN YÜKSEK ENERJİ VERİMLİLİĞİNE SAHİP MeRAM GELİŞTİRDİ

Los Angeles Kaliforniya Üniversitesi(UCLA) ‘den araştırmacılar elektrik akımı yerine elektrik voltajı kullanarak, süper hızlı ve yüksek kapasiteli magnetoresistif MeRAM ’ leri geliştirdi.

MeRAM’ ler yani magnetoelektrik RAM( Rastgele Erişim Belleği)  gelecekte telefonlar, tabletler, bilgisayarlarda kullanılmak için büyük bir potansiyel teşkil ediyor. Ayrıca böylece SSD gibi sabit disk teknolojilerinde ve GOOGLE gibi veri merkezlerinde bu yeni teknoloji kullanılabilecek.

MeRAM’ ler avantajı ise çok az enerjiyle yüksek yoğunlukta, çok hızlı okuma-yazma oranlarına sahip olmaları. Ayrıca  non-volatilite adı verilen özellik sayesinde veriyi saklamak için herhangi bir enerjiye gerek kalmıyor, aynı flash diskler gibi fakat MeRAM’ ler çok da  hızlı.

Magnetik hafıza teknolojisi spin transfer torku (STT) adı verilen bir teknolojiye dayanıyor , böylece elektronların spin ve yüklenme özellikleri kullanılıyor. STT elektrik akımıyla elektronları yönlendirerek , hafızaya veri yazılmasını sağlıyor. Buna karşın, STT normalde çok güç tükettiğinden bu ısınma probleminin beraberinde getiriyor. Ayrıca düşük bit kapasitesi STT’ teknolojisini sınırlandırıyordu.

 

Fakat yapılan yeni çalışma ile  STT ‘ nin voltajla yaratılan akımının yerine MeRAM teknolojisini  de beraberinde getiriyor. Böylece elektronları hareket ettirmek için pek çok kablo ve voltaj kullanmaya gerek kalmadı. Bu da ısınmayı önleyerek 10 ila 1000  kat daha fazla enerji verimi sağlıyor. Ayrıca böylece aynı alana 5 kat daha yoğun veri depolanabiliyor. Bu da bit başına maliyeti düşürüyor.

 

MeRAM ‘ de kullanılan yapılar, voltaj kontrollü magnet-yalıtımlı bağlantılar olarak adlandırılıyor. Pek çok tabaka üst üste istiflenerek, 2 magnetik materyalin birleşimini içeriyor. Bir tabakanın manyetik yönü dolduğunda, diğeri bu vasıtayla elektrik alanı manipule ediyor. Bu cihaz elektrik alana çok duyarlı olduğundan, bir elektrik alanı uygulandığında, iki manyetik alan arasında potansiyel farkı oluşuyor. Oluşan bu voltaj sayesinde hafızaya bitler yazılarak bilgi depolanıyor.

MeRAM ‘ler STT teknolojisine benzer şekilde üretilebildiğinden, endüstriyel açıdan önü açık.

Kaynak: http://www.sciencedaily.com/releases/2012/12/121214191516.htm

 

Facebook Yorumları

Hakkında Oğuz Sezgin

Özel bir şirkette kalite kontrol müdürlüğü yapıyorum. Anadolu Üniversitesi 2006 Fen Fakültesi Kimya mezunuyum. Bilim ve teknoloji meraklısı olarak günümüzde Türkiye' de bilim ve teknoloji sitelerindeki eksikliği görerek, Gerçek Bilim'i kurdum. Bu sitede gördüğünüz çoğu bilimsel haber ve teknoloji yazısını oldukça ciddi kaynaklardan toplayarak sizin için çeviriyor ve geliştiriyorum. Gerçek Bilim'deki diğer yazarlar ve ben, her gün baş döndürücü şekilde değişen bilim ve teknoloji haberlerini size aktarıyoruz

İLGİNİZİ ÇEKEBİLİR

donan-buz

Karbon Nanotüpler Sayesinde Kaynama Sıcaklığındaki Su Donduruldu

Deniz seviyesinde saf su 0° C’de donar ve 100 ° C’de kaynar değil mi? Normalde evet, …

Bir Cevap Yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak. Gerekli alanlar * ile işaretlenmişlerdir


*